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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
CTLDM303N-M832DS TR
Product Overview
Fabricant:
Central Semiconductor Corp
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CTLDM303N-M832DS TR-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 3.6A 1.65W Surface Mount TLM832DS
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12789306
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SOUMETTRE
CTLDM303N-M832DS TR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Central Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.6A
rds activé (max) @ id, vgs
40mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
590pF @ 10V
Puissance - Max
1.65W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-TDFN Exposed Pad
Ensemble d’appareils du fournisseur
TLM832DS
Numéro de produit de base
CTLDM303N
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
CTLDM303N-M832DS
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
CTLDM303N-M832DS CT-DG
-CTLDM303N-M832DSCT
CTLDM303N-M832DS TR-DG
-CTLDM303N-M832DS TR PBFREE
CTLDM303N-M832DS TR LEAD FREE
-CTLDM303N-M832DSDKR
CTLDM303N-M832DSDKR
-CTLDM303N-M832DS DKR-DG
CTLDM303N-M832DS DKR-DG
CTLDM303N-M832DSCT
CTLDM303N-M832DS DKR
CTLDM303N-M832DS CT
-CTLDM303N-M832DS TR-DKR
-CTLDM303N-M832DS TR-DKR-DG
-CTLDM303N-M832DS TR-DG
-CTLDM303N-M832DS CT-DG
-CTLDM303N-M832DS TR
-CTLDM303N-M832DS TR-CT-DG
CTLDM303N-M832DS TR PBFREE
CTLDM303N-M832DSTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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